Bộ trưởng Quốc phòng Israel đe dọa phát động chiến tranh chống Iran vì chế tạo vũ khí hạt nhân

© REUTERS / Corinna KernBộ trưởng Quốc phòng Israel Benny Gantz
Bộ trưởng Quốc phòng Israel Benny Gantz - Sputnik Việt Nam, 1920, 13.12.2021
Đăng ký
Trong cuộc hội đàm với các đại diện Lầu Năm Góc, Bộ trưởng Quốc phòng Israel Benny Gantz tuyên bố rằng nếu Iran tạo ra vũ khí hạt nhân, thì Israel sẽ sẵn sàng bắt đầu hành động chiến sự. Tin này do đài phát thanh Army Radio (Galei Tzahal) công bố.

Kế hoạch của Israel về trấn áp quân sự với Iran

«Bộ trưởng Quốc phòng Gantz đã thông báo với đại diện Hoa Kỳ rằng Israel sẵn sàng tiến tới dùng phương án chiến sự để ngăn chặn Iran sở hữu bom hạt nhân, công việc nguy hiểm vốn đang ở giai đoạn chót», - đài phát thanh đưa tin dẫn nguồn trong cơ quan quân sự của Israel.

Theo thông tin của đài này, trong chuyến thăm Washington, Bộ trưởng Quốc phòng Israel Benny Gantz đã thông báo với quan chức đại diện Hoa Kỳ rằng Israel đang chuẩn bị phương án quân sự để chặn đứng việc Iran nhận được bom hạt nhân.
Nguồn tin của «Army Radio» nhấn mạnh rằng Tehran đã gần tới mốc sản xuất đủ uranium để chế tạo thứ vũ khí như vậy.

«Họ sẽ không vội vượt qua ranh giới cuối cùng đó, bởi cũng hiểu hậu quả, nhưng chúng tôi đang theo dõi sát và nhấn mạnh rằng Iran không được phép làm giàu uranium», - Bộ trưởng kết luận.

Chỉ huy Bộ Tư lệnh Trung ương Hoa Kỳ Kenneth McKenzie - Sputnik Việt Nam, 1920, 11.12.2021
Tướng Mỹ tuyên bố "có một loạt các lựa chọn quân sự rất mạnh" để kiềm chế Iran

Các biện pháp trừng phạt của Hoa Kỳ chống Iran

Trước đó, Thư ký Nhà Trắng Jen Psaki tuyên bố rằng Hoa Kỳ đang chuẩn bị những biện pháp trừng phạt hướng tới hạn chế nguồn thu nhập của Iran nếu đàm phán về chương trình hạt nhân của Tehran thất bại. Theo lời bà này, nhà lãnh đạo Mỹ Joe Biden đã chỉ thị chuẩn bị những biện pháp chống Iran để tránh xảy ra khủng hoảng hạt nhân nếu như tương tác ngoại giao không đem lại kết quả rõ rệt.
Tin thời sự
0
Để tham gia thảo luận
hãy kích hoạt hoặc đăng ký
loader
Phòng chat
Заголовок открываемого материала